서울대학교에서 진행하는 반도체 공정실습이 가능한 반도체공동연구소와 과정 신청방법 등을 안내합니다.
□ 교육 개요
▶ 대상: CMOS 소자 개발 및 장비 Operation 단기교육(재직자)
▶ 3월 신청기간: 2024. 2. 19.(월) ~ 2. 23.(금)
[선발 기준]
기준 1) 이론+실습 동시 수강자 우선 선발
기준 2) 기업체 및 국공립 연구소 소속, 교수 등 모든 일반 요금 적용자
기준 3) 신규 신청자: 추첨제로 선발
기준 4) 신청정원 미달 시 제한 인원을 해제할 수 있음.
※ 선발내용은 접수한 이메일을 통해 공지
※ 문의: 서울대학교 반도체공동연구소 한정훈팀장(전화:02-880-9556 / 이메일: hantv@snu.ac.kr)
▶ 3월 교육일정
- 1회차 실습교육: 2024.3.11.(월) - 3.14.(목) 09:20~18:00
- 2회 차 실습교육: 2024.3.18.(월) - 3.21.(목) 09:20~18:00
※ 실습은 회차 별 1개만 선택 접수
2024년 정기교육 일정
▶ 교육 신청 방법
강좌 시작 2주 전까지홈페이지를 통해 온라인 접수 바랍니다.
ISRC 서울대학교 반도체공동연구소 교육시스템
제 328,329회 반도체기본공정교육 선발 완료
isrc.snu.ac.kr
▶ 정기교육 교육비: 재직자 국비지원(교육비 무료)
| 교육 | 내 용 | 기간 | 일반 | 학생 |
| 공정 | 학부생을 위한 기본공정실습 | 3일 | - | 30만 원 |
| 반도체공정교육(이론+실습) | 7일 | 98만 원 | 55만 원 | |
| 반도체공정교육(이론) | 3일 | 32만 원 | 23만 원 | |
| 반도체공정교육(실습) | 4일 | 75만 원 | 43만 원 |
※ 일반 요금은 '중식비 포함'
※ 2일 전 오전 10시까지 100% 환불되며 이후는 환불되지 않습니다.
□ 교육 내용
1. 이론 교육
이온주입공정, 사진공정, CVD공정, 산화공정, 건식식각공정, 금속화공정 등의 CMOS 공정에 필요한 단위공정에 대한 기본적 이론과 P.I. 과목을 통한 CMOS 소자제작에 대한 이론적 소개
2. 실습 교육
사진공정
Spinner의 회전속도에 따른 광감광제의 도포 변화와 노광시간에 따른 잔여 두께의 변화로부터 Contrast Factor 구함
▽
CVD 공정
LPCVD, PECVD 장비를 이용한 CVD 공정에서 유량, 전극 간극 등의 공정변수에 따른 증착률 변화 조사
▽
금속공정
Si 웨이퍼에 Sputtering을 이용한 Al 박막 증착. 증착속도, 막의 두께에 따른 반사도면 저항으로부터 박막특성 측정
▽
산화공정
습식 및 건식산화 방법으로 산화막 성장. 성장률 상수, 성장률 곡선을 구하며 실험 결과와Deal-grove 모델 비교
▽
이온주입공정
Si 웨이퍼에 B의 주입 및 열처리 조건에 따른 면 저항의 변화를 측정하며이론적인 수치와 비교 검토
▽
건식식각공정
건식식각 장비에서 자기장의 세기, Gas 유량, Chamber 압력 등의 변수에 따른 식각률 변화 조사
□ 서울대 반도체공동연구소 위치
[승용차나 택시로 오는 방법]
- 서울대학교 정문 방향 :
정문으로 들어와 계속 직진 신소재연구소 삼거리에서 좌회전 후
나들문 6번으로 진입 후 우회전
- 서울대학교 후문 방향 :
후문으로 들어와 기숙사 삼거리에서 좌회전 계속 직진 후
유전공학연구소 지나서 나들문 6번으로 진입 후 우회전
[마을버스로 오는 방법]
- 지하철2호선 낙성대역 하차(4번출구)후 2번 마을버스이용 (유전공학연구소 하차)
[버스로 오는 방법]
- 지하철2호선 서울대입구역 하차(3번출구)후 5511번 버스이용 (유전공학연구소 하차)
※ 기타 자세한 사항과 교육 신청은 서울대 반도체 공동연구소 홈페이지에서 가능합니다.
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